製品情報

CHARIS レーザリフトオフ


CHARIS レーザリフトオフ GaN on サファイアのリフトオフ
Laser Lift Off of GaN on sapphire

特長

サファイア基板上のGaN の高速リフトオフ

High speed

ハイパフォーマンス

High performance

LLOシステムの大幅な小型化

Small footprint

低ランニングコスト

Low running cost
UV 光のエネルギーでGaN の結合を断ち切り、GaとN2に光分解するので剥離可能。
The energy of UV light breaks the bond of GaN and separate GaN into Ga and N2.So GaN on Sapphire can be lifted.

Laser Lift Off / LLO

CHARIS レーザリフトオフ
CHARIS レーザリフトオフの特長

specifications
wavelength 266nm
Energy density 1000mJ/cm2
Transfer system Galvano scan processing and stage shift
Galvano Scan 5mm
Stage shift 150mm
Scanning Speed 50mm/s
@LED:100μm Pitch 500Hz
CHARIS レーザリフトオフの特長
CHARIS レーザリフトオフの特長
1

Set the transfer board and LED Wafer
2

1st LED and mask alignment
3

266nm 1000mJ/cm2 50mm/s
1st Scanning range is 5mm square
4

Mask Shift 2nd LED and mask alignment
5

266nm 1000mJ/cm2 50mm/s
2nd Scanning range is 5mm square
6

LLO completed

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