製品情報

CHARIS 深紫外UVレーザマーキングユニット LMU-4000

CHARIS DUVレーザマーキングユニット「LMU-4000」
CHARIS 深紫外UVレーザマーキングユニット LMU-4000
Deep UV Laser Marking Unit
深紫外266nm レーザにより、高付加価値材料（透明材料）に対して吸収率が高く、熱ダメージの少ない微細なマーキングやレーザ加工が可能です。
Deep UV, 266nm, laser has high absorption rate for the high value-added materials (transparent materials) and enables fine marking and laser processing with little heat damage.

DUVレーザマーキングユニット「LMU-4000」の特長

最も適合性の高いマーキング加工例

深紫外266nm レーザマーキング加工例：高付加価値透明材料
高付加価値透明材料(ウェーハ)
Transparent materials(Wafer) 		深紫外266nm レーザマーキング加工例：微細マーキング
微細マーキング
Micro-Marking
深紫外266nm レーザマーキング加工例：熱ダメージレスマーキング
熱ダメージレスマーキング
Marking with less thermal damage 		深紫外266nm レーザマーキング加工例：超微細(5um 以下) マーキング
超微細(5um 以下) マーキング
Super Micro-Marking

特長

熱によるダメージの無い微細マーキング／Micro marking with less thermal damage

SiC・GaN・有機膜・難加工材へ高品質加工
Fine marking for SiC/GaN/Organic film and etc.

ロングライフ／Long life time

LD交換サイクル3万時間(SHGレーザ発振器)
Diode replacement cycle 30,000 hours(SHG laser oscillator)
FHG結晶交換サイクル5500時間(QSWのゲート ON)
FHG crystal exchange cycle 5500 hours(QSW gate ON)

ハイパフォーマンス／HighPerformance

FHGアッテネータユニット　FHG結晶自動シフト／Auto Crystal Shifter
パワーメータ搭載　ロバスト構造筐体／ Internal Power sensor Robust structure enclosure

JIS C 6802準拠／JIS C 6802 Compliant

内部安全シャッター／Internal Safety shutter
非常停止スイッチ／Emergency Switch
インターロック／Interlocks

DUVレーザマーキングユニット「LMU-4000」の特長

吸収率の高くダメージレス ウェーハへの微細マーキング

Micro marking with less thermal damage
ウェーハへの微細マーキング：LT
LT 		ウェーハへの微細マーキング：LN
LN
ウェーハへの微細マーキング：SiC
SiC 		ウェーハへの微細マーキング：GaN
GaN

熱影響の無い高機能フィルムへマーキング・加工

Micro marking / processing with less thermal damage on Film
高機能フィルムへマーキング・加工：透明ポリイミドの切り抜き
透明ポリイミドの切り抜き
Cutting of Transparent Polyimide 		高機能フィルムへマーキング・加工：銅上の透明ポリイミド除去
銅上の透明ポリイミド除去
Removal of Transparent Polyimide on Cu
高機能フィルムへマーキング・加工：ポリイミドの切り抜き
ポリイミドの切り抜き
Cutting of Polyimide 		高機能フィルムへマーキング・加工：ITO薄膜のマーキング
ITO薄膜のマーキング
Marking on ITO Film

品質の高い複合材料へマーキング・加工

Micro marking / processing with less thermal damage on composite material
複合材料へマーキング・加工：銅上のポリイミドVIA加工
銅上のポリイミドVIA加工
VIA hole of polyimide on Cu 		複合材料へマーキング・加工：カテーテルのサイドホール穴あけ
カテーテルのサイドホール穴あけ
Side hole cut on Catheter Tube
複合材料へマーキング・加工：積層基板のVIA 加工
積層基板のVIA 加工
VIA hole of composite substrate 		複合材料へマーキング・加工：セラミック上の金薄膜除去
セラミック上の金薄膜除去(パターニング)
Partial Removal of Au on ceramic

仕様
Charis
Model LMU-4000-YAG LMU-4000-YVO4
Pump Source Nd：YAG Nd：YVO4
Wavelength 266nm 266nm
Average Power 200mW @ 5kHz
200mW @ 10kHz 		200mW @ 20kHz
Repetition Rate ～50kHz 20kHz～
How to adjust power Optical＋Current control
Scanning Method
Galvano Scanner
Telecentric Fθ lens F100 F150
Scanning Area 30mm 50mm
Focused Diameter Φ10µｍ(1/e2)
Working Distance 135mm 205mm
Scanning Resolution 1µm ２µm
Scanning Speed 500mm/s
Marking Type Font SEMI
Character Helical,Vector,Dot
2D-Code Data-Matrix,QR-Code
Picture BMP,DXF
Size Weight Laser Head 340(W)x 745(D)x 360(H) 60kg
Controller 483(W)x 500(D)x 222(H) 10kg
Utilities Single Phase AC100V±10％ 10A, CDA 10NL /min
Clean Air Supplier Clean air supplier for laser head
498 x 600 x 270 32kg
Outside Temperature 15～35℃
Operating Environment Cleanroom class 10000, Temperature23±2℃　Humidity< 60%
Dust Collector
※Option		 Dust Collector for clean room
350(W)x 435(D)x 411(H) 18kg
Single Phase 100V 15A

System Diagram

Drawing

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