UVレーザマーキングユニット

製品情報

CHARIS DUV レーザマーキングユニット Deep UV Laser Marking Unit

透明材料にマーキング可能

※特に SiC・GaN・PI などに最適。

線幅 (ドット径 ) 最小 10um の微細なマーキングが可能

熱影響と発塵が少ない高品質な仕上がり

　新機能　

電動結晶シフター結晶シフトの完全自動化

光アッテネータ SHG 出力可変不要によるFHG 出力安定性向上

内蔵パワーメータによるパワーモニタリング

UV光の広い光吸収特性により、切削加工や可視・赤外レーザでは加工が困難な材料のマーキングが可能です。また、材料に吸収があるので、マーキングされる材料を透過して下地にダメージを与える心配がありません。

一部の樹脂や化合物半導体に対しては、光分解反応による加工のため、非常に小さいエネルギーでマーキングが可能です。極めて浅い(1μm以下)マーキングが可能で、カーボン等の加工残差の発生が殆どありません。

ワーク形状に合わせて、ワークハンドリング・観察・位置決めから加工まで一括で行うシステムを製作致します。

形式	2次元ガルバノスキャナによる光走査
スキャンエリア	30～50mm四方（光学系と要求精度による）
集束	テレセントリックfθレンズによるf=150mmまたはf=100mm
集束スポット径	φ20μm（光学系により調整可）

マーキング型式	ベクトル描画、逐次補間、ビットマップ描画（オプション）
文字入力	内蔵フォントアルファベット、英数字、カナ、ひらがな、漢字
図形入力	DXFファイルより変換
設定	文字高さ、太文字、その他
オプション	2次元データマトリクス、QRコード、ベリコード、ビットマップ描画

ウェーハのIDマーキング

GaNウェーハの
微小ドットマーキング

Siウェーハ
100ミクロン微細マーキング

必須項目は必ずご記入ください。

必須ご希望項目	カタログ請求　営業から連絡
必須お名前
お名前（ふりがな）
必須メールアドレス	※確認のためにもう一度メールアドレスを入力してください。
必須会社名
部署名
役職
必須業種	半導体関係　電子部品関係　医療関係食品関係　研究機関・大学関係　商社その他その他を選択した場合はこちらに入力してください。
郵便番号
ご住所
必須電話番号
FAX番号
備考	お問い合わせ等ございましたら下記コメント欄にご記入ください
添付ファイル	添付ファイルがございましたらファイルをご指定ください。（2MBまで）
必須弊社HPをどのようにお知りになりましたか？	タカノ本社HP　検索エンジン　レーザーコンシェルジェイプロス　展示会　雑誌・広告その他その他を選択した場合はこちらに入力してください。