透明材料にマーキング可能
※特に SiC・GaN・PI などに最適。線幅 (ドット径 ) 最小 10um の微細なマーキングが可能
熱影響と発塵が少ない高品質な仕上がり
新機能
電動結晶シフター結晶シフトの完全自動化
光アッテネータ SHG 出力可変不要によるFHG 出力安定性向上
内蔵パワーメータによるパワーモニタリング
UV光の広い光吸収特性により、切削加工や可視・赤外レーザでは加工が困難な材料のマーキングが可能です。また、材料に吸収があるので、マーキングされる材料を透過して下地にダメージを与える心配がありません。
一部の樹脂や化合物半導体に対しては、光分解反応による加工のため、非常に小さいエネルギーでマーキングが可能です。極めて浅い(1μm以下)マーキングが可能で、カーボン等の加工残差の発生が殆どありません。
ワーク形状に合わせて、ワークハンドリング・観察・位置決めから加工まで一括で行うシステムを製作致します。
Model | WLU-4000-YAG | WLU-4000-YVO4 |
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Bump Source | Nd-YAG | YVO4 |
Wavelength | 266nm | 266nm |
Average Power |
200mW @ 5kHz 200mW @ 10kHz |
200mW @ 20kHz |
Repetition Rate | ~50kHz | 20kHz~ |
Repetition Rate | Optical+Current control |
Scanning Method | |||
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Telecentric Fθ lens | F100 | F150 | |
Scanning Area | 30mm□ | 50mm□ | |
Focused Diameter | Φ10µm(1/e2) | ||
Working Distance | 135mm | 205mm | |
Scanning Resolution | 1µm | 2µm | |
Scanning Speed | 500mm/s | ||
Marking Type | Font | SEMI | |
Character | Helical-Dot. Vector, Dot | ||
2D-Code | Data-Matrix、QR-Code | ||
Picture | BMP,DXF |
形式 | Nd-YAG波長変換レーザ(4次高調波) |
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基本波発振器 | LD連続励起 AO-Qsw パルスレーザ |
波長変換素子 | BBO (FHG) |
発振波長 | 266nm |
発振出力 | 200mW (@10kHz) |
パルス周波数 | 1kHz~40kHz |
形式 | 2次元ガルバノスキャナによる光走査 |
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スキャンエリア | 30~50mm四方(光学系と要求精度による) |
集束 | テレセントリックfθレンズによるf=150mmまたはf=100mm |
集束スポット径 | φ20μm(光学系により調整可) |
マーキング型式 | ベクトル描画、逐次補間、ビットマップ描画(オプション) |
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文字入力 | 内蔵フォント アルファベット、英数字、カナ、ひらがな、漢字 |
図形入力 | DXFファイルより変換 |
設定 | 文字高さ、太文字、その他 |
オプション | 2次元データマトリクス、QRコード、ベリコード、ビットマップ描画 |
ウェーハのIDマーキング |
GaNウェーハの 微小ドットマーキング |
Siウェーハ 100ミクロン微細マーキング |
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