製品情報

CHARIS 深紫外UVレーザマーキングユニット LMU-4000

CHARIS DUVレーザマーキングユニット「LMU-4000」
CHARIS 深紫外UVレーザマーキングユニット LMU-4000
Deep UV Laser Marking Unit
深紫外266nm レーザにより、高付加価値材料(透明材料)に対して吸収率が高く、熱ダメージの少ない微細なマーキングやレーザ加工が可能です。
Deep UV, 266nm, laser has high absorption rate for the high value-added materials (transparent materials) and enables fine marking and laser processing with little heat damage.

DUVレーザマーキングユニット「LMU-4000」の特長

最も適合性の高いマーキング加工例

深紫外266nm レーザマーキング加工例:高付加価値透明材料
高付加価値透明材料(ウェーハ)
Transparent materials(Wafer)
深紫外266nm レーザマーキング加工例:微細マーキング
微細マーキング
Micro-Marking
深紫外266nm レーザマーキング加工例:熱ダメージレスマーキング
熱ダメージレスマーキング
Marking with less thermal damage
深紫外266nm レーザマーキング加工例:超微細(5um 以下) マーキング
超微細(5um 以下) マーキング
Super Micro-Marking

特長

熱によるダメージの無い微細マーキング/Micro marking with less thermal damage

SiC・GaN・有機膜・難加工材へ高品質加工
Fine marking for SiC/GaN/Organic film and etc.

ロングライフ/Long life time

LD交換サイクル3万時間(SHGレーザ発振器)
Diode replacement cycle 30,000 hours(SHG laser oscillator)
FHG結晶交換サイクル5500時間(QSWのゲート ON)
FHG crystal exchange cycle 5500 hours(QSW gate ON)

ハイパフォーマンス/HighPerformance

FHGアッテネータユニット FHG結晶自動シフト/Auto Crystal Shifter
パワーメータ搭載 ロバスト構造筐体/ Internal Power sensor Robust structure enclosure

JIS C 6802準拠/JIS C 6802 Compliant

内部安全シャッター/Internal Safety shutter
非常停止スイッチ/Emergency Switch
インターロック/Interlocks

DUVレーザマーキングユニット「LMU-4000」の特長

吸収率の高くダメージレス ウェーハへの微細マーキング

Micro marking with less thermal damage
ウェーハへの微細マーキング:LT
LT
ウェーハへの微細マーキング:LN
LN
ウェーハへの微細マーキング:SiC
SiC
ウェーハへの微細マーキング:GaN
GaN

熱影響の無い高機能フィルムへマーキング・加工

Micro marking / processing with less thermal damage on Film
高機能フィルムへマーキング・加工:透明ポリイミドの切り抜き
透明ポリイミドの切り抜き
Cutting of Transparent Polyimide
高機能フィルムへマーキング・加工:銅上の透明ポリイミド除去
銅上の透明ポリイミド除去
Removal of Transparent Polyimide on Cu
高機能フィルムへマーキング・加工:ポリイミドの切り抜き
ポリイミドの切り抜き
Cutting of Polyimide
高機能フィルムへマーキング・加工:ITO薄膜のマーキング
ITO薄膜のマーキング
Marking on ITO Film

品質の高い複合材料へマーキング・加工

Micro marking / processing with less thermal damage on composite material
複合材料へマーキング・加工:銅上のポリイミドVIA加工
銅上のポリイミドVIA加工
VIA hole of polyimide on Cu
複合材料へマーキング・加工:カテーテルのサイドホール穴あけ
カテーテルのサイドホール穴あけ
Side hole cut on Catheter Tube
複合材料へマーキング・加工:積層基板のVIA 加工
積層基板のVIA 加工
VIA hole of composite substrate
複合材料へマーキング・加工:セラミック上の金薄膜除去
セラミック上の金薄膜除去(パターニング)
Partial Removal of Au on ceramic

仕様


Charis
Model LMU-4000-YAG LMU-4000-YVO4
Pump Source Nd:YAG Nd:YVO4
Wavelength 266nm 266nm
Average Power 200mW @ 5kHz
200mW @ 10kHz
200mW @ 20kHz
Repetition Rate ~50kHz 20kHz~
How to adjust power Optical+Current control
Scanning Method
Galvano Scanner
Telecentric Fθ lens F100 F150
Scanning Area 30mm 50mm
Focused Diameter Φ10µm(1/e2)
Working Distance 135mm 205mm
Scanning Resolution 1µm 2µm
Scanning Speed 500mm/s
Marking Type Font SEMI
Character Helical,Vector,Dot
2D-Code Data-Matrix,QR-Code
Picture BMP,DXF
Size Weight Laser Head 340(W)x 745(D)x 360(H) 60kg
Controller 483(W)x 500(D)x 222(H) 10kg
Utilities Single Phase AC100V±10% 10A, CDA 10NL /min
Clean Air Supplier Clean air supplier for laser head
498 x 600 x 270 32kg
Outside Temperature 15~35℃
Operating Environment Cleanroom class 10000, Temperature23±2℃ Humidity< 60%
Dust Collector
※Option
Dust Collector for clean room
350(W)x 435(D)x 411(H) 18kg
Single Phase 100V 15A

System Diagram

Drawing

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