製品情報

UVレーザマーキングユニット

CHARIS DUVレーザマーキングユニット「LMU-4000」
CHARIS DUV レーザマーキングユニット
Deep UV Laser Marking Unit

透明材料にマーキング可能

※特に SiC・GaN・PI などに最適。

線幅 (ドット径 ) 最小 10um の微細なマーキングが可能

熱影響と発塵が少ない高品質な仕上がり



 新機能 

電動結晶シフター結晶シフトの完全自動化

光アッテネータ SHG 出力可変不要によるFHG 出力安定性向上

内蔵パワーメータによるパワーモニタリング


特長

難加工材料をマーキングできます

UV光の広い光吸収特性により、切削加工や可視・赤外レーザでは加工が困難な材料のマーキングが可能です。また、材料に吸収があるので、マーキングされる材料を透過して下地にダメージを与える心配がありません。

極めて浅いマーキングが可能です

一部の樹脂や化合物半導体に対しては、光分解反応による加工のため、非常に小さいエネルギーでマーキングが可能です。極めて浅い(1μm以下)マーキングが可能で、カーボン等の加工残差の発生が殆どありません。

ワークにあわせてカスタマイズ可能です

ワーク形状に合わせて、ワークハンドリング・観察・位置決めから加工まで一括で行うシステムを製作致します。

仕様


CHARIS
Model WLU-4000-YAG WLU-4000-YVO4
Bump Source Nd-YAG YVO4
Wavelength 266nm 266nm
Average Power 200mW @ 5kHz
200mW @ 10kHz
200mW @ 20kHz
Repetition Rate ~50kHz 20kHz~
Repetition Rate Optical+Current control
Scanning Method
Galvano Scanner
Telecentric Fθ lens F100 F150
Scanning Area 30mm□ 50mm□
Focused Diameter Φ10µm(1/e2)
Working Distance 135mm 205mm
Scanning Resolution 1µm 2µm
Scanning Speed 500mm/s
Marking Type Font SEMI
Character Helical-Dot. Vector, Dot
2D-Code Data-Matrix、QR-Code
Picture BMP,DXF

システム図

CHARIS DUVレーザマーキングユニット「LMU-4000」:システム図


レーザ発振器基本仕様

形式Nd-YAG波長変換レーザ(4次高調波)
基本波発振器LD連続励起 AO-Qsw パルスレーザ
波長変換素子BBO (FHG)
発振波長266nm
発振出力200mW (@10kHz)
パルス周波数1kHz~40kHz

光走査機構

形式2次元ガルバノスキャナによる光走査
スキャンエリア30~50mm四方(光学系と要求精度による)
集束テレセントリックfθレンズによるf=150mmまたはf=100mm
集束スポット径φ20μm(光学系により調整可)

マーキング仕様

マーキング型式ベクトル描画、逐次補間、ビットマップ描画(オプション)
文字入力内蔵フォント
アルファベット、英数字、カナ、ひらがな、漢字
図形入力DXFファイルより変換
設定文字高さ、太文字、その他
オプション2次元データマトリクス、QRコード、ベリコード、ビットマップ描画

アプリケーション例


ウェーハのIDマーキング

GaNウェーハの
微小ドットマーキング

Siウェーハ
100ミクロン微細マーキング

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