製品情報

SiC/GaNウェハマーカ

SiC・GaNウェハレーザマーカ
SiC・GaNなどの硬脆材ウェハに極めて浅く、
発塵の少ないマーキングを実現!
その他化合物半導体ウェハもマーキング可能です。

特徴

難加工材であるSiC・GaNにマーキング可能

赤外光・可視光を透過してしまうSiC・GaNでも波長266nmの紫外レーザでマーキングできます。

極めて浅く・発塵の少ないマーキング可能

光分解反応による加工のため、視認性がよいにも関わらず、非常に浅くパーティクル(発塵)の少ないマーキングが可能です。発生したパーティクルは数が少なく、溶着していないことから洗浄で容易に除去できます。また、エピ膜を貫通しない浅いマーキングを実施すれば、エピ膜の乖離の心配がありません。

自動化

スカラロボットと弊社独自のアライメント光学系を組み合わせ、ウェハの取り出しから位置決め・マーキングまで自動で行います。

省エネ

空冷式小型LD光源を搭載。チラー不要で低消費電力。

主な仕様

ウェハサイズ2"3"4"または3"4"6"から選択
処理枚数50枚(25枚カセット×2)を連続処理
スループット60~100枚/H (マーキング条件に依存)
フォントSEMI準拠のオリジナルフォント
マーキング精度±150μm
装置サイズW2.0m×D1.2m×H1.8m
重量1500kg以下
電源3相 200V 30A
ユーティリティ真空・圧空・工場排気

SiCウェハのマーキング例

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