SiC/GaNウェハマーカ

製品情報

SiC・GaNウェハレーザマーカ: SiC・GaNなどの硬脆材ウェハに極めて浅く、
発塵の少ないマーキングを実現！
その他化合物半導体ウェハもマーキング可能です。

赤外光・可視光を透過してしまうSiC・GaNでも波長266nmの紫外レーザでマーキングできます。

光分解反応による加工のため、視認性がよいにも関わらず、非常に浅くパーティクル(発塵)の少ないマーキングが可能です。発生したパーティクルは数が少なく、溶着していないことから洗浄で容易に除去できます。また、エピ膜を貫通しない浅いマーキングを実施すれば、エピ膜の乖離の心配がありません。

スカラロボットと弊社独自のアライメント光学系を組み合わせ、ウェハの取り出しから位置決め・マーキングまで自動で行います。

空冷式小型LD光源を搭載。チラー不要で低消費電力。

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